- 論文發(fā)表於14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ 2025) -

東京2025年11月17日 /美通社/ -- 總部位於東京的Taiyo Holdings Co., Ltd.（證券代碼：4626；以下簡(jiǎn)稱「Taiyo Holdings」）於2025年11月13日在14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2025)上發(fā)表與全球頂尖半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)imec共同撰寫的論文，重點(diǎn)介紹了作為次世代半導(dǎo)體封裝材料開發(fā)的、用於大馬士革工藝的細(xì)間距RDL (*1)負(fù)型光敏絕緣材料「FPIM (TM) Series」（以下簡(jiǎn)稱「該材料」）。

RDL是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中高效電氣連接的重要技術(shù)，目前主要採用半加成工藝(SAP) (*2)製造。imec指出，隨著佈線細(xì)微化需求發(fā)展，未來要形成線間距1.6微米及以下的互連結(jié)構(gòu)，大馬士革工藝(*3)將成為必要技術(shù)。為此，Taiyo Holdings持續(xù)開發(fā)專用於大馬士革工藝的次世代細(xì)間距RDL材料，並自2022年10月起與imec展開共同研究。本研究運(yùn)用該材料在12吋晶圓上成功形成三層RDL結(jié)構(gòu)，經(jīng)評(píng)估各層佈線間距均達(dá)成目標(biāo)規(guī)格：晶圓上RDL1層CD (*4)達(dá)1.6微米、通孔層CD為2.0微米（通孔中心間距為CD 4.0微米）、RDL2層CD為1.6微米。這些數(shù)值極接近本研究採用的低NA stepper (*5)的解析極限。此外，針對(duì)CD 1.6微米的RDL1層進(jìn)行電氣特性評(píng)估，其漏電電流與阻抗表現(xiàn)均屬良好。透過與imec的共同研究，確認(rèn)該材料具備優(yōu)異電氣特性、高解析度，以及適應(yīng)CMP工藝(*6)的品質(zhì)要求。

未來，公司目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)在CD 500納米或更小的晶圓上構(gòu)建RDL，並持續(xù)驗(yàn)證電氣特性之長(zhǎng)期性能與可靠性。Taiyo Holdings將持續(xù)開發(fā)有助推動(dòng)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域進(jìn)步的材料，包括進(jìn)一步提升AI半導(dǎo)體性能。此外，該材料已於2025年開始提供R&D用小批量樣品。

註：
（*1）RDL（重佈線層）為形成於半導(dǎo)體晶片表面、用以重新分佈電氣佈線的層狀結(jié)構(gòu)。
（*2）先於整體表面形成薄籽晶層，再透過電鍍於佈線區(qū)域形成佈線圖形之法。
（*3）於絕緣膜形成佈線溝槽，透過濺鍍、CVD、電鍍等方式填充溝槽並形成圖形之法。
（*4）CD（關(guān)鍵尺寸）指微細(xì)圖形的尺寸規(guī)格。
（*5）Veeco Low NA (0.16) i-line曝光系統(tǒng)AP300（第一代）。
（*6）CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）工藝是半導(dǎo)體製造中透過化學(xué)與機(jī)械作用使晶圓表面平坦化的製程。

共同發(fā)表論文標(biāo)題
Development of 1.6 micrometer Fine-Pitch RDL Damascene Process using Low-NA i-Line Stepper and a New Negative-tone Photosensitive Dielectric Material（使用Low-NA i-Line Stepper和新的負(fù)型光敏介電材料開發(fā)1.6微米細(xì)間距RDL大馬士革工藝）

評(píng)估樣品結(jié)構(gòu)：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI1fl_9Rzhabg4.png

產(chǎn)品圖片：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI2fl_yb3oqDfr.png

關(guān)於imec與Taiyo Holdings的合作
總部位於比利時(shí)的imec，全稱為「Interuniversity Microelectronics Centre」，是全球最大的半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)之一，透過與全球大學(xué)及企業(yè)合作推動(dòng)開放創(chuàng)新，促進(jìn)前沿半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。2022年10月，imec與Taiyo Holdings開始就大馬士革工藝用細(xì)間距RDL負(fù)型光敏絕緣材料（一種次世代半導(dǎo)體封裝材料）展開共同研究。自2024年11月起，Taiyo Holdings派駐研究員至imec，建立更緊密合作環(huán)境，持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)半導(dǎo)體材料之日常研發(fā)工作。

- Taiyo Holdings Co., Ltd.公司概況：
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202511108806-O1-ttbIvpYv.pdf

官方網(wǎng)站：https://www.taiyo-hd.co.jp/en/index.html