加州佛利蒙市2022年2月10日 /美通社/ -- 科林研發(fā)公司（Lam Research Corp.）（那斯達克股票代號：LRCX）宣布推出全新選擇性蝕刻產品系列，這些產品應用開創(chuàng)性晶圓製造技術與新興的化學方法，以支援晶片製造商開發(fā)環(huán)繞式閘極（GAA）電晶體結構。 Lam 的選擇性蝕刻解決方案是由三款新產品——Argos®、Prevos? 及 Selis®所組成，可為設計與製造先進邏輯和記憶體半導體提供強大優(yōu)勢。

隨著現(xiàn)代技術與元件的不斷發(fā)展，為提高性能與效率，對更高元件密度之需求也隨之增加。為跟上摩爾定律，晶片製造商現(xiàn)正開發(fā)垂直電晶體結構。這是極其複雜的製程，需要在不改造或損壞其他關鍵材料層的同時達到超高選擇性、更精密的均勻及等向性蝕刻。

Lam 的選擇性蝕刻解決方案提供超高可調控選擇性與材料無損去除，使晶片製造商在先進邏輯奈米層片或奈米線應用，以及DRAM 面臨平面微縮極限時，能夠實現(xiàn)從平面到 3D 結構的下一步技術躍昇。

透過與世界上最具創(chuàng)新性的邏輯與晶圓代工廠合作開發(fā)，Lam 的選擇性蝕刻產品已被三星電子等業(yè)界領先的晶圓製造商所採用，以支援先進邏輯晶圓開發(fā)製程中的十多項關鍵步驟。

「半導體產業(yè)不斷朝著更強、更快的元件能力發(fā)展。 隨著元件密度與複雜性的顯著增加，選擇性蝕刻技術對於製造最先進的邏輯元件至關重要，」三星電子半導體研發(fā)中心主任Keun Hee Bai 博士表示。 「隨著全球對三星技術需求的持續(xù)飆升，我們也將繼續(xù)信賴選擇性蝕刻技術的廣泛創(chuàng)新與能力來強化生產過程，並加速朝先進邏輯 GAA 和更高技術的發(fā)展藍圖邁進?！?/p>

Lam 選擇性蝕刻解決方案由三項新產品組成： 

• Argos採用革命性的 MARS?（介穩(wěn)狀態(tài)活化自由基源）技術，可選擇性地改質與除汙晶圓表面。其開創(chuàng)性的處理技術與調節(jié)能力使晶片製造商得以精確處理晶圓表面，使晶圓最佳化，達到極致性能。
• Prevos 結合新興的化學方法、創(chuàng)新蒸氣技術及敏捷溫控，實現(xiàn)對氧化物、矽及金屬的原子層等級精密度之超高選擇性蝕刻。 Prevos 充分利用 Lam 新開發(fā)的專利化學技術，可添加其他化學物來支援晶片製造商的生產需求。
• Selis 採用獨特的自由基與熱蝕刻能力，在不損壞晶圓結構的情況下，實現(xiàn)超高選擇性蝕刻和3D結構從上至下的均勻製程控制。
• Prevos 與 Selis 亦可作為單一、整合的機臺使用，以提供獨特的多層選擇性蝕刻、改善佇列時間控制，並最大化生產靈活性。

Lam Research 總裁暨執(zhí)行長Tim Archer表示：「Lam Research 正推動支援晶片產業(yè)邁向 3D 結構所需的晶圓製造發(fā)展，並使下一代數(shù)位技術成為現(xiàn)實。40 多年來，Lam 在蝕刻創(chuàng)新方面一直領先業(yè)界。我們很榮幸能夠延續(xù)這項傳統(tǒng)，為現(xiàn)今市場的先進邏輯與記憶體技術提供最先進的選擇性蝕刻解決方案?！?/p>

關於 Lam Researchhttp://www.lamresearch.com/

科林研發(fā)股份有限公司（Lam Research Corporation）是為半導體產業(yè)提供創(chuàng)新晶圓製造設備和服務的全球供應商。身為全球領先半導體業(yè)者值得信賴的合作夥伴，我們結合優(yōu)異的系統(tǒng)工程能力、技術領先地位、以及助力客戶成功的堅定承諾，透過提升元件效能來加速創(chuàng)新。事實上，今天，幾乎每一顆先進晶片都是利用Lam Research的技術來生產的。Lam Research是財富500大企業(yè)，總部設在加州佛利蒙市，營運遍佈全球。更多訊息，請造訪www.lamresearch.com.  (LRCX-P)

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