加州佛利蒙市2022年2月10日 /美通社/ -- 科林研發(fā)公司（Lam Research Corp.）（那斯達(dá)克股票代號(hào)：LRCX）宣布推出全新選擇性蝕刻產(chǎn)品系列，這些產(chǎn)品應(yīng)用開創(chuàng)性晶圓製造技術(shù)與新興的化學(xué)方法，以支援晶片製造商開發(fā)環(huán)繞式閘極（GAA）電晶體結(jié)構(gòu)。 Lam 的選擇性蝕刻解決方案是由三款新產(chǎn)品——Argos®、Prevos? 及 Selis®所組成，可為設(shè)計(jì)與製造先進(jìn)邏輯和記憶體半導(dǎo)體提供強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)。

隨著現(xiàn)代技術(shù)與元件的不斷發(fā)展，為提高性能與效率，對(duì)更高元件密度之需求也隨之增加。為跟上摩爾定律，晶片製造商現(xiàn)正開發(fā)垂直電晶體結(jié)構(gòu)。這是極其複雜的製程，需要在不改造或損壞其他關(guān)鍵材料層的同時(shí)達(dá)到超高選擇性、更精密的均勻及等向性蝕刻。

Lam 的選擇性蝕刻解決方案提供超高可調(diào)控選擇性與材料無損去除，使晶片製造商在先進(jìn)邏輯奈米層片或奈米線應(yīng)用，以及DRAM 面臨平面微縮極限時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)從平面到 3D 結(jié)構(gòu)的下一步技術(shù)躍昇。

透過與世界上最具創(chuàng)新性的邏輯與晶圓代工廠合作開發(fā)，Lam 的選擇性蝕刻產(chǎn)品已被三星電子等業(yè)界領(lǐng)先的晶圓製造商所採用，以支援先進(jìn)邏輯晶圓開發(fā)製程中的十多項(xiàng)關(guān)鍵步驟。

「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷朝著更強(qiáng)、更快的元件能力發(fā)展。 隨著元件密度與複雜性的顯著增加，選擇性蝕刻技術(shù)對(duì)於製造最先進(jìn)的邏輯元件至關(guān)重要，」三星電子半導(dǎo)體研發(fā)中心主任Keun Hee Bai 博士表示。 「隨著全球?qū)θ羌夹g(shù)需求的持續(xù)飆升，我們也將繼續(xù)信賴選擇性蝕刻技術(shù)的廣泛創(chuàng)新與能力來強(qiáng)化生產(chǎn)過程，並加速朝先進(jìn)邏輯 GAA 和更高技術(shù)的發(fā)展藍(lán)圖邁進(jìn)?！?/p>

Lam 選擇性蝕刻解決方案由三項(xiàng)新產(chǎn)品組成： 

• Argos採用革命性的 MARS?（介穩(wěn)狀態(tài)活化自由基源）技術(shù)，可選擇性地改質(zhì)與除汙晶圓表面。其開創(chuàng)性的處理技術(shù)與調(diào)節(jié)能力使晶片製造商得以精確處理晶圓表面，使晶圓最佳化，達(dá)到極致性能。
• Prevos 結(jié)合新興的化學(xué)方法、創(chuàng)新蒸氣技術(shù)及敏捷溫控，實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化物、矽及金屬的原子層等級(jí)精密度之超高選擇性蝕刻。 Prevos 充分利用 Lam 新開發(fā)的專利化學(xué)技術(shù)，可添加其他化學(xué)物來支援晶片製造商的生產(chǎn)需求。
• Selis 採用獨(dú)特的自由基與熱蝕刻能力，在不損壞晶圓結(jié)構(gòu)的情況下，實(shí)現(xiàn)超高選擇性蝕刻和3D結(jié)構(gòu)從上至下的均勻製程控制。
• Prevos 與 Selis 亦可作為單一、整合的機(jī)臺(tái)使用，以提供獨(dú)特的多層選擇性蝕刻、改善佇列時(shí)間控制，並最大化生產(chǎn)靈活性。

Lam Research 總裁暨執(zhí)行長Tim Archer表示：「Lam Research 正推動(dòng)支援晶片產(chǎn)業(yè)邁向 3D 結(jié)構(gòu)所需的晶圓製造發(fā)展，並使下一代數(shù)位技術(shù)成為現(xiàn)實(shí)。40 多年來，Lam 在蝕刻創(chuàng)新方面一直領(lǐng)先業(yè)界。我們很榮幸能夠延續(xù)這項(xiàng)傳統(tǒng)，為現(xiàn)今市場(chǎng)的先進(jìn)邏輯與記憶體技術(shù)提供最先進(jìn)的選擇性蝕刻解決方案。」

關(guān)於 Lam Researchhttp://www.lamresearch.com/

科林研發(fā)股份有限公司（Lam Research Corporation）是為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供創(chuàng)新晶圓製造設(shè)備和服務(wù)的全球供應(yīng)商。身為全球領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)者值得信賴的合作夥伴，我們結(jié)合優(yōu)異的系統(tǒng)工程能力、技術(shù)領(lǐng)先地位、以及助力客戶成功的堅(jiān)定承諾，透過提升元件效能來加速創(chuàng)新。事實(shí)上，今天，幾乎每一顆先進(jìn)晶片都是利用Lam Research的技術(shù)來生產(chǎn)的。Lam Research是財(cái)富500大企業(yè)，總部設(shè)在加州佛利蒙市，營運(yùn)遍佈全球。更多訊息，請(qǐng)?jiān)煸Lwww.lamresearch.com.  (LRCX-P)

前瞻性聲明注意事項(xiàng)

本新聞稿中的一些非既往事實(shí)陳述為前瞻性聲明，這些聲明受到「1995年美國私人證券訴訟改革法案」的安全港條款約束。這些前瞻性聲明論及，但不僅限於：我們所銷售或服務(wù)機(jī)臺(tái)之效能，包括選擇性蝕刻產(chǎn)品： Argos、Prevos 及 Selis；客戶使用我們機(jī)臺(tái)可實(shí)現(xiàn)的結(jié)果；以及需要我們的機(jī)臺(tái)來達(dá)成客戶及終端使用者的需求。這些聲明是以目前的預(yù)期為基礎(chǔ)，並受風(fēng)險(xiǎn)、不確定性以及狀況、重要性、價(jià)值和影響的變化，包括我們向美國證券交易委員會(huì)提交或提供的文件中描述的其他風(fēng)險(xiǎn)和不確定性，特別是包括我們?cè)诮刂?021年6月27日會(huì)計(jì)年度的財(cái)報(bào)10-K表格和截至2021年12月26日的季報(bào)10-Q表格中所描述的風(fēng)險(xiǎn)因素。這些不確定性與變化可能會(huì)對(duì)前瞻性聲明造成重大影響，導(dǎo)致實(shí)際結(jié)果與預(yù)期有明顯不同。Lam Research沒有義務(wù)在日後對(duì)此新聞稿中發(fā)佈的訊息做出更新說明。

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