9月24日至26日，三安參加電力電子盛會PCIM Asia上海展，集中展示了涵蓋碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的核心產(chǎn)品與解決方案，包括SiC MOSFET/SBD、襯底、外延片、車規(guī)級模塊等；還同步展示了針對新能源汽車與工業(yè)應用自主研發(fā)的評估測試板，助力客戶加速系統(tǒng)驗證與產(chǎn)品上市。在同期舉辦的ISES China 2025國際半導體高管峰會上，三安半導體工藝技術研發(fā)副總顧子琨博士受邀發(fā)表主題演講，系統(tǒng)闡述了三安在碳化硅MOSFET技術上的演進路徑與突破，包括產(chǎn)品可靠性提升、導通電阻優(yōu)化等關鍵進展。（美通社）
