北京2018年4月24日電 /美通社/ -- 近年來(lái)，碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一，是國(guó)際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)。寬禁帶半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。國(guó)際上已有 ICSCRM（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）和 ECSCRM（European Conference on Silicon Carbide and Related Materials）兩大品牌國(guó)際會(huì)議，在地域上主要體現(xiàn)為美國(guó)和歐洲的科技發(fā)展態(tài)勢(shì)，為了推動(dòng)亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)的發(fā)展，加強(qiáng)交流與協(xié)同創(chuàng)新，由中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國(guó)科學(xué)院物理研究所和北京硅酸鹽學(xué)會(huì)發(fā)起并主辦首屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（2018年）（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018)）將于2018年7月9日-12日在北京舉行，參會(huì)規(guī)模400余人。
APCSCRM 2018 會(huì)議將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料(如 SiC, GaN, AlN, 金剛石, Ga2O3 等)生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和功率器件研發(fā)與應(yīng)用以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的相互合作和交流。深信這次會(huì)議必將對(duì)亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。
APCSCRM 將是一個(gè)亞太地區(qū)高水平的碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料、器件與應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)并重的高水平論壇。從2018年開始，每年召開一次大會(huì)，地點(diǎn)在亞太地區(qū)不同地點(diǎn)輪換。關(guān)于本次國(guó)際會(huì)議的詳細(xì)情況參見官網(wǎng)：http://www.apcscrm2018.iawbs.com/。
