SK海力士株式會社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321層2Tb QLC NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)，并已啟動量產(chǎn)。這一成就標志著全球首次采用QLC技術(shù)實現(xiàn)超過300層的堆疊，為NAND閃存密度樹立了新的行業(yè)標桿。該公司計劃在完成全球客戶驗證后，于明年上半年推出該產(chǎn)品。321層QLC NAND在容量和性能方面均優(yōu)于之前的QLC產(chǎn)品。數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍，寫入性能提升高達56%，讀取性能提升18%。此外，寫入功耗效率提升超過23%。（美通社）
