3月14日，“2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”（ICIC 2025）在深圳舉行。大會(huì)首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓。英飛凌展示了四款重磅新品，包括PSOC Control C3 MCU、新一代中壓CoolGaN半導(dǎo)體器件、CoolMOS 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET和XDP數(shù)字電源。同時(shí)，英飛凌近期推出的新一代高密度功率模塊，即OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊也在國(guó)內(nèi)首次亮相。（美通社）
