德州儀器(TI)近日宣布，其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠投產(chǎn)。隨著會津工廠的加入，德州儀器的GaN功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。公司成功驗證了8英寸GaN技術(shù)并將開始大規(guī)模生產(chǎn)，這種制造方式具有顯著的可擴(kuò)展性和成本優(yōu)勢，有助于擴(kuò)大GaN芯片自有制造。到2030年自有制造產(chǎn)能將增至95%以上。德州儀器在提升GaN 產(chǎn)能過程中采用了更先進(jìn)、更高效的機(jī)臺，可以生產(chǎn)出體積更小但是功率更大的芯片。公司還開展了在12英寸晶圓上開發(fā)GaN制造工藝試點項目。（美通社）