由思坦科技與南方科技大學(xué)、香港科技大學(xué)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合攻關(guān)的重大成果——基于高功率 AlGaN深紫外Micro-LED顯示的無(wú)掩膜光刻技術(shù)，于10月15日正式在國(guó)際頂尖權(quán)威學(xué)術(shù)期刊Nature Photonics上發(fā)表。該技術(shù)使用鋁鎵氮（AlGaN）材料制造出發(fā)光波長(zhǎng)為270納米的深紫外Micro-LED，這些LED像素尺寸僅為3微米，克服了傳統(tǒng)光刻中的光功率限制，實(shí)現(xiàn)圖案與光源集成。利用無(wú)掩膜光刻的方式，不僅解決了半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，還提供了一條制造成本更低、曝光效率更高的解決方案。（美通社）