英飛凌科技股份公司宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了2.3倍，效率顯著提高。（美通社）
