SK海力士8日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)238層4D NAND閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。此前，公司于去年8月成功開(kāi)發(fā)出世界最高238層NAND閃存。238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競(jìng)爭(zhēng)力得到了大幅改善。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了約20%的讀寫性能。（全球TMT）
