三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM。這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。結(jié)合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。基于DDR5最新標準，三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒（Gbps）的速度。與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。（全球TMT）
