Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器，這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產(chǎn)品。評估樣本目前已發(fā)布。

FRAM是一款非易失性存儲產(chǎn)品，具有高讀寫耐久性、高速寫入、低功耗等優(yōu)點，已批量生產(chǎn)20多年。MB85R8M2TA存儲器配有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內(nèi)工作。新款FRAM在快頁模式下可實現(xiàn)25ns的訪問時間，因此在持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，該存儲器實現(xiàn)了高速運行（訪問速度提高約30%）和低功耗（工作電流減少10%）。這款存儲器IC是SRAM的理想替代產(chǎn)品，可用于需要高速運行的工業(yè)機器。（美通社,2021年11月17日日本橫濱）